NCV57256DR2G
תיאור
פרמטרים טכניים
ה-NCV57256DR2G מציע יכולת שיא זרם פלט מעולה, יכולת תצורה לפעולת דרייבר בצד נמוך, גבוה או חצי גשר, ובקרת חפיפה או זמן מת למיתוג מדויק. הגדרה פשוטה של חצי גשר עם פין השבתה עבור רצף כוח ופונקציונליות ANB עבור רצף כוח, שיפור בקרת מערכת ואבטחה. בנוסף, הוא מספק הידוק שערים IGBT/MOSFET במהלך קצר חשמלי, מה שמבטיח הגנה על המכשיר. הדרייבר כולל השהיית התפשטות קצרה, סף UVLO הדוק ובידוד גלווני חזק, מה שהופך אותו למתאים לשימוש עם ה-NCV57256DR2G. זה AEC-Q100 מוסמך לשימוש ברכב וידידותי לסביבה, תואם RoHS. בסך הכל, ה-NCV57256DR2G משלב כוח ודיוק, מה שהופך אותו לבחירה מצוינת עבור מגוון יישומי אלקטרוניקה.
מוצרים קשורים:
|
מר חלק |
NCV57256DR2G |
|
תיאור |
DGTL ISO GATE DVR |
|
המניה |
30000 |
|
סטטוס המוצר |
פָּעִיל |
|
טֶכנוֹלוֹגִיָה |
צימוד קיבולי |
|
מספר ערוצים |
2 |
|
מתח-בידוד |
2500Vrms |
|
חסינות חולפת במצב נפוץ (מינימום) |
100kV/us |
|
עיכוב התפשטות tpLH / tpHL (מקסימום) |
80ns, 80ns |
|
זרם - פלט גבוה, נמוך |
3.5A, 3.5A |
|
אספקת מתח |
9~32V |
|
טמפרטורת פעולה |
-40-C ~ 125-C |
|
חבילה / מארז |
SOP16 |
|
חֲבִילָה |
Tape & Reel (TR) |
יישומים אופייניים:
• מטענים EV
• שליטה מוטורית
• ספקי כוח אל פסק (UPS)
• ספקי כוח תעשייתיים
• ממירים סולאריים
• יישומי רכב
תיאור כללי:
NCx5725y הם מנהלי התקן IGBT/MOSFET שערים IGBT/MOSFET מבודדים בזרם גבוה עם 2.5 או 5 kVrms* פנימי גלווני מכניסה לכל פלט ובידוד פונקציונלי בין שני ערוצי המוצא. המכשיר מקבל מתח הטיה ורמות אות של 3.3 וולט עד 20 וולט בצד הקלט ועד מתח הטיה של 32 וולט בצד המוצא. המכשיר מקבל כניסות משלימות ומציע פינים נפרדים לשליטה בזמן השבתה וזמן מת לנוחות עיצוב המערכת. מנהלי התקנים זמינים בחבילת SOIC-16 רחבת גוף ובחבילת SOIC-16 עם גוף צר.
תגיות פופולריות: ncv57256dr2g, סין יצרנים, ספקים של ncv57256dr2g
זוג
NCD57540DWKR2Gהבא
NCV57255DR2Gשלח החקירה
