SI823H3AB-IS1R
תיאור
פרמטרים טכניים
ה-SI823H3AB-IS1R הוא מנהל התקן שער מבודד רב-תכליתי המציע דרייברים בודדים או כפולים בחבילה אחת, המספק עד 5 kVRMS בידוד ומתח דיפרנציאלי שיא של מנהל התקן לנהג של 1500 VDC. עם סיכת EN לבטיחות משופרת ופין DIS אופציונלי, הוא נותן מענה למגוון רחב של יישומים, כולל גרסאות PWM וגרסאות דרייבר כפולות. הוא מספק תפוקת שיא עוצמתית של 4.0 A, מצטיין בחסינות אלקטרומגנטית, ומציע פעולה מהירה עם עיכוב התפשטות מקסימלי של 30 ns. דרייבר זה מתהדר בחסינות חולפת חזקה, זמן מת הניתן לתכנות, אפשרויות סינון רעשים ופועל על פני טווח טמפרטורות רחב. הוא תואם RoHS ומוסמך AEC-Q100, עם אפשרויות זמינות בדרגת רכב, מה שהופך אותו לבחירה אמינה עבור יישומים הדורשים דיוק, בטיחות וביצועים גבוהים.
מוצרים קשורים:
|
מר חלק |
SI823H3AB-AS1 |
SI823H3AB-AS1R |
SI823H3AB-IS1 |
SI823H3AB-IS1R |
|
תיאור |
DGTL ISO GATE DVR |
DGTL ISO GATE DVR |
DGTL ISO GATE DVR |
DGTL ISO GATE DVR |
|
המניה |
30000 |
30000 |
30000 |
30000 |
|
סטטוס המוצר |
פָּעִיל |
פָּעִיל |
פָּעִיל |
פָּעִיל |
|
טֶכנוֹלוֹגִיָה |
צימוד קיבולי |
צימוד קיבולי |
צימוד קיבולי |
צימוד קיבולי |
|
מספר ערוצים |
2 |
2 |
2 |
2 |
|
מתח-בידוד |
2500Vrms |
2500Vrms |
2500Vrms |
2500Vrms |
|
חסינות חולפת במצב נפוץ (מינימום) |
125kV/us |
125kV/us |
125kV/us |
125kV/us |
|
עיכוב התפשטות tpLH / tpHL (מקסימום) |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
30ns, 58ns |
|
זרם - פלט גבוה, נמוך |
4A, 4A |
4A, 4A |
4A, 4A |
4A, 4A |
|
אספקת מתח |
6V ~ 30V |
6V ~ 30V |
6V ~ 30V |
6V ~ 30V |
|
טמפרטורת פעולה |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
|
חבילה / מארז |
SOP16 |
SOP16 |
SOP16 |
SOP16 |
|
חֲבִילָה |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
Tape & Reel (TR) |
יישומים תעשייתיים:
• מערכות אספקת חשמל
• מערכות בקרת מנוע
• ספקי כוח dc-dc מבודדים
• מערכות בקרת תאורה
• ממירים סולאריים ותעשייתיים
יישומי רכב:
• מטענים על הסיפון
• מערכות ניהול סוללות
• עמדות טעינה
• ממירי משיכה
• רכבים חשמליים היברידיים
• רכבים חשמליים מצברים
תיאור כללי:
ה-Si823Hx משלב שני מנהלי השערים מבודדים לחבילה אחת עבור יישומי הספק גבוה. ה-Si823Hx כולל התקנים עם כניסות בקרה בודדות או כפולות עם יציאות עצמאיות או צד גבוה/נמוך. מנהלי התקנים אלה יכולים לפעול עם 3.0 – 5.5 וולט קלט VDD ומתח אספקת כונן מרבי של 30 וולט.
ה-Si823Hx הוא אידיאלי להנעת MOSFETs ו-IGBTs בשימוש במגוון רחב של יישומי מיתוג כוח ובקרת מנוע. דרייברים אלה משתמשים בטכנולוגיית בידוד סיליקון קניינית של Skyworks, התומכת בעד 5 kVRMS עבור מתח בידוד של דקה. טכנולוגיה זו מאפשרת CMTI גבוה (125 kV/µs), עיכובי התפשטות והטיה נמוכים יותר, שונות קטנה עם הטמפרטורה והגיל, והתאמה נמוכה בין חלק לחלק.
הארכיטקטורה הייחודית של שלב הפלט כוללת התקן בוסטר המספק יכולת משיכה גבוהה יותר באזור רמת מילר של מתג ההפעלה של העומס כדי לתמוך בזמני הפעלה מהירים יותר. משפחת מנהלי התקנים זו מציעה גם כמה תכונות ייחודיות כגון הגנה מפני טמפרטורת יתר, זיהוי תקלות נעילה של תת-מתח במוצא (UVLO), יכולת תכנות בזמן מת ודרייברים בטוחים לכשל עם ברירת מחדל נמוכה במקרה של אובדן כוח צד כניסה. משפחת Si823Hx מציעה חיי שירות ארוכים יותר ואמינות גבוהה יותר באופן דרמטי בהשוואה לדרייברי שערים מצמדים אופטו.
דרגת רכב זמינה. מוצרים אלה נבנים באמצעות זרימות ספציפיות לרכב בכל שלבי תהליך הייצור כדי להבטיח את החוסן והפגמים הנמוכים הנדרשים ליישומי רכב.
תגיות פופולריות: si823h3ab-is1r, סין יצרנים, ספקים של si823h3ab-is1r
זוג
SI823H3AD-IS3Rהבא
SI823H1CD-IS3Rשלח החקירה
